DX-1000 霍尔效应仪(进口版)

霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

DX-1000 霍尔效应仪性能稳定、功能强大、性价比高,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或固体材料均可。

 

 

产品组成:

     本仪器系统由:实验室电磁铁、高精度双极性电源内置高斯计美国吉时利keithley2450、美国吉时利keithley6510、美国吉时利keithley7709、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

 

技术指标:

* 场: 间距 10mm 情况下 10000Gs(选配 17000Gs), 间距 20mm 情况下6500Gs(选配 11000Gs)。

*样品电流:10nA~1000mA(最小可调节电流为 0.1nA

*测量电压:0.1uV~200V

*提供各类测试标准材料,各级别霍尔器件(灵敏度与精度不同

*最小分辨率:0.1GS

*磁场范围:0-±17000Gs (选配)

*配合高斯计或数采板可与计算机通讯

*I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

*载流子浓度:5X1012~5X1022cm-3

*霍尔系数:±1X10-2~±1X106cm3/C

*电阻率:10-7-1010ohm*cm

*迁移率:1x101~1X105

*测试全自动化,一键处理

*专业的欧姆接触组合套件

 

可测试材料:

 Ø半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料, 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料, 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

 

高阻测量范围(选配):

 阻  率:5X10-4~108Ω·cm  

阻 范围:10mΩ-100GΩ  

 移  率:1~106cm2/vs 

载流子浓度:6X108~1023cm-3

霍尔 系 数:±1X10-5~±1X1010cm3/C 

 

高低温变温范围(选配):

4K(-269.15℃)- 873.15K(600℃)分段

 

自动化霍尔效应测试系统标准组成:     

 

1.美国吉时利keithley2450

产品介绍:

Keithley 2450是吉时利的新一代数字源表源测量单元(SMU),并且能在您指尖真正实现欧姆定律(电流、电压和电阻)测试。其新颖的图形用户接口(GUI)和先进的容性触摸屏技术方便直观使用。此技术能让学习曲线变短并让工程师和科学家更轻松地创造、更聪明地工作而且更快速地学习。2450是一款适合所有人的通用SMU,特别适于分析当今现代缩微半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印制电子产品及其它小尺寸和低功率器件的特性。所有这一切,加上吉时利高精度、高分辨率、高准确度和高可靠性,为工程师和科学家提供全新层次的Touch, Test, Invent™以获得全新、直观的源测试体验。

 

 

5英寸、高分辨率容性触摸屏图形用户界面

0.012%基本测量准确度和6位半分辨率

增强灵敏度20mV和10nA源/测量范围

源和阱(4象限)操作

4种“个性”模式用于快速设置和测量

上下文相关的前面板帮助

前面板输入香蕉头插座;后面板输入三同轴连接

2450型增强SCPI和TSP®脚本编程模式

2400型SCPI兼容编程模式

前面板USB内存端口用于数据/编程/配置I/O

 

非常适于当今各种现代电子和器件的电流/电压特性分析和功能性测试,包括:

纳米材料和器件:石墨烯、碳纳米管、纳米线、低功率纳米结构

半导体结构:晶圆、薄膜

有机材料和器件:电子墨水、可印制电子

能源效率和照明:LED/AMOLED、光伏/太阳能电池、太阳能电池

分立和无源元件:二管脚(电阻器、二极管、齐纳二极管、LED、磁盘驱动头、传感器)和三管脚(小信号双极结型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)等材料特性分析:电阻率、场效应

 

2.美国吉时利keithley6510

 

数据采集系统概述:

减少测试设置、执行和分析时间,无需编写测试程序即可简单快速地设置和运行测试。6510 数据采集和记录万用表系统的直观触摸屏能够提供简单的配置,以及可视的直观测试设置、实时的扫描状态可视信息,可尽早捕捉问题以避免丢失测试时间,便于分析测试数据。

 

特点:

配置:使用一个测量和扫描配置菜单设置具有多种测量功能的多通道扫描。

运行和监视:在测试过程中显示扫描进度,即时查看超出范围的测量结果和超出的限制。

分析:使用绘图和统计功能显示和分析结果。使用触摸屏的手指开合缩放功能深入研究结果。使用光标计算关于数据段的统计信息。

 

技术指标:

6510 采用 6位分辨率和 15 个内置测量功能进行测量。执行低电流、低电阻和温度测量,并使用内置数字化器查看发射信号。

 

特点:

电压:100 nV 至 1000 V,基本 DCV 精度为 0.0025%

电流灵敏度:1 pA 至 3A

电阻:1μΩ 至 120MΩ

电容:0.1 pF 至 100 μF

 

使用热电偶、电阻温度检测器和热敏电阻进行温度测量(温度范围为 -200°C 至 1820°C)

1 M 采样/秒、16 位数字化器和可容纳 800 万个读数的存储 通过 12 个插件开关模块和高达 80 个通道的容量为测试系统提供更多选择 。

 

3.高精度双极性电源:

※ 双极性恒流输出

① 电源输出电流可在正负额定大电流之间连续变化

电流可以平滑过零点,非开关换向

③ 输出电流、电压四象限工作(适合感性负载)

④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007~0.5F.S./s(F.S.为额定*大输出电流)

 

※ 电流稳定度高,纹波低

①电流稳定度:优于±25ppm/h(标准型);优 于±5ppm/h(高稳型)

② 电流准确度:±(0.01%设定值+1mA)

③ 电流分辨率:20 bit,例 15A 电源,电流分辨率为 0.03mA

④ 源效应:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供电电压变化 10%时,输出电流变化量)

⑤ 负载效应:≤ 2.0×10-5 F.S.(在负载变化 10%时,输出电流变化量)

⑥ 电流纹波(RMS):小于 1mA

 

4.实验室电磁铁(可定制)

电磁铁简介

技术指标:

1.极柱尺寸:73mm

2.极面尺寸:60mm(标配)

3.磁场气隙调节形势:双向可调

4.磁场气隙调节范围:0-82mm

5.线圈直流电阻:5.3Ω

6.线圈间距:83mm

7.最大工作电流:±7A

8.电压:±37V

9.输入功率:0.26KW

10.磁场强度:>10000Gs@10mm

11.安放形式:U口朝上

12.重量:46kg

 

5.内置高斯计

技术指标:

1.量程范围:  0~3T

2.准确度: ±(读数的0.1% +2Gs)

3.分辨率: 0.01Gs(1uT)

 

6.测试系统软件:

定位采集,数字温度显示, I-V,曲线及 I-R 曲线测量,得到体载,流子浓度等各类参数曲线图形。

 

样品测试:

设置控制电流、磁场和霍尔片厚度,点击“开始测试”按钮,软件将完成一键测试过程,直至计算出所有霍尔参数。每次测试完后,可选择保存该计算结果值,然后点击“清除显示”按钮,以进入下一次测试。

若保持磁场大小不变,改变控制电流的大小,可通过画图操作观察 Is 与 VH的关系;若保持控制电流大小不变,改变磁场的大小,可通过画图观察 B 与 VH 的关系。

 

7.霍尔样品架:

用于固定,焊接霍尔器件,四探针压点使接触更方便牢。高精度高斯计:分辨力:0.01Gs,量程:0-±3T,精度:0.1% ,标准 232 数字接口与控制端口。

 

欧姆接触套件 :

专业做欧姆接触用铟片以及相,应焊接套装,材料标准样片,硅片,砷化镓 2 阻值:300-500 欧姆。

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